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J-GLOBAL ID：201202232765611631   整理番号：12A0613091

SiCMOS基板上ミリ波帯スパイラルインダクタの電磁界解析

著者 (5件)： 住田崇史 (東京工大) ,  平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012  号： エレクトロニクス1  ページ： 105  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電磁界解析を用いミリ波帯におけるスパイラルインダクタの解析値と実験値を比較し,励振モデルによる依存性を示した。今後はキャパシタを解析し,実験値と比較する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *CMOS構造 ,  基板 ,  *EHF波 ,  *薄膜インダクタ ,  螺旋状 ,  回路設計 ,  *電磁場解析 ,  マイクロストリップ線路 ,  *計算機シミュレーション ,  有限要素法 ,  反射率 ,  特性インピーダンス ,  Q値 ,  周波数特性 ,  *MOS構造 ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： スパイラルインダクタ

分類 (1件)： 伝送回路素子一般  (NC04010G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ミリ波 ,  スパイラルインダクタ ,  電磁界解析