文献

J-GLOBAL ID：201202234060660288   整理番号：12A0600943

65nm標準プロセスを用いた高消光比偏光分析CMOSイメージセンサ

著者 (11件)： 若間範充 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松岡均 (奈良先端科学技術大学院大) ,  安藤圭祐 (奈良先端科学技術大学院大) ,  野田俊彦 (奈良先端科学技術大学院大) ,  野田俊彦 (JST-CREST) ,  笹川清隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  笹川清隆 (JST-CREST) ,  徳田崇 (奈良先端科学技術大学院大) ,  徳田崇 (JST-CREST) ,  太田淳 (奈良先端科学技術大学院大) ,  太田淳 (JST-CREST)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan)
巻： 2012  号： 3  ページ： 167  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0653A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 消光比 ,  回折格子 ,  *イメージセンサ ,  *半導体集積回路 ,  偏光 ,  実時間処理 ,  半導体チップ ,  波長 ,  感度解析 ,  *計測システム ,  ナノメータ加工 ,  *CMOSイメージセンサ ,  *CMOS集積回路
準シソーラス用語： ナノ加工

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 標準 ,  プロセス ,  消光比 ,  偏光分析 ,  CMOSイメージセンサ