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J-GLOBAL ID：201202242876699657   整理番号：12A0589107

表面活性化ウェハボンディングによる半導体接合の特性評価

著者 (3件)： 重川直輝 (大阪市大 工) ,  渡邊則之 (NTT フォトニクス研) ,  日暮栄治 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.18A-E2-2  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *活性化 ,  *超小形回路技術 ,  *半導体接合 ,  キャラクタリゼーション ,  ウエハ【IC】 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  サファイア基板 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： 表面活性化 ,  *ウエハボンディング ,  Siウエハ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面活性化 ,  ウェハ ,  ボンディング ,  半導体接合 ,  特性評価