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J-GLOBAL ID：201202243114799120   整理番号：12A1513990

加工Si基板上に成長した(1-101)GaNのTEM評価

著者 (8件)： 中北太平 (愛知工大) ,  伊藤翔悟 (愛知工大) ,  岩田博之 (愛知工大) ,  澤木宣彦 (愛知工大) ,  谷川智之 (名古屋大) ,  本田善央 (名古屋大) ,  山口雅史 (名古屋大) ,  天野浩 (名古屋大)
資料名： 電気関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM)
巻： 2012  ページ： ROMBUNNO.H5-1  発行年： 2012年09月18日 
JST資料番号： L1634B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *透過型電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウム ,  *ウエハ【IC】 ,  ファセット ,  転位【結晶】 ,  格子欠陥 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： GaN ,  *Si基板 ,  *TEM ,  結晶欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  TEM ,  評価