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J-GLOBAL ID：201202252763648881   整理番号：12A0586994

横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上

著者 (8件)： 信野圭祐 (東京工大) ,  進藤隆彦 (東京工大) ,  二見充輝 (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16A-F3-7  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子効率 ,  相互接続 ,  *注入 ,  *横方向 ,  半導体薄膜 ,  閉込め ,  半導体レーザ ,  光導波路 ,  リン化インジウム ,  厚膜 ,  量子井戸 ,  補償 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  ドライエッチング ,  MOCVD ,  レーザ発振 ,  共振器 ,  蓄積 ,  キャリア再結合 ,  注入レーザ ,  キャリア蓄積 ,  光閉込め ,  保護層
準シソーラス用語： GaInAsP ,  InP ,  光配線 ,  *電流注入 ,  *内部量子効率 ,  歪補償 ,  OMVPE

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 横方向 ,  注入型レーザ ,  内部量子効率