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J-GLOBAL ID：201202255248967833   整理番号：12A0237322

大気圧プラズマによる単層カーボンナノチューブ成長促進

著者 (4件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院) ,  吉田晋平 (東京工大 大学院) ,  唐津拓哉 (東京工大 大学院) ,  岡崎健 (東京工大 大学院)
資料名： 日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム講演論文集
巻： 2nd  ページ： 177-178  発行年： 2010年10月12日 
JST資料番号： L8358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気圧プラズマCVDにおけるカーボンナノチューブ(CNT)成長メカニズムの解明を目的として,合成基板の直上に形成されるプラズマシースから反応ガスを直接サンプリングし,その組成を四重極質量分析計,ガスクロマトグラフで定量的に分析した。その結果をもとに,プラズマによる原料メタンの分解過程を考察し,さらに二次生成物(エタン,エチレン,アセチレン)を模擬した熱CVDを実施することで,ガス組成の変化がCNTの成長速度とその性状,およびアモルファス炭素の生成に及ぼす影響を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *マイクロマシニング ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *化学蒸着 ,  *加工条件 ,  プラズマCVD ,  プラズマ重合 ,  成長促進 ,  気相成長 ,  気相重合
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大気圧プラズマ ,  単層カーボンナノチューブ ,  成長促進