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J-GLOBAL ID：201202255960678724   整理番号：12A0260912

シリコンCMOSオンチップマイクロストリップ線路に埋め込んだダミーメタルフィル面積密度とサイズの伝送特性への影響

Transmission Characteristics of On-Chip Microstrip Lines on a Silicon CMOS Substrate Due to the Area Density and Size of Dummy Fills

著者 (4件)： 平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電気学会電磁界理論研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EMT-12  号： 1-4.6.9-64  ページ： 207-210  発行年： 2012年01月26日 
JST資料番号： Z0909A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 60GHzにおいて,シリコンCMOSオンチップガイド付マイクロストリップ線路に埋め込んだダミーメタルの面積密度,サイズ,および配置位置の線路中央からの距離が伝搬定数に与える影響を電磁界シミュレーションで計算した。ダミーメタルサイズ変化が伝搬定数に与える影響は小さいことがわかった。ダミーメタル面積密度が高くなるほど減衰定数・位相定数ともに増えることがわかった。25%,40%,70%の面積密度では,減衰定数も位相定数もダミーメタルが無いときに比べてそれぞれ5%,10%,20%増えることがわかった。信号線真下のダミーメタルの影響は大きく,線路下部からダミーメタルを離すほど減衰定数は小さくなり,ダミーメタルがないときの値に近づくことがわかった。信号線中央より信号線幅の1.25倍離れた位置ではダミーメタルの影響が無視できることがわかった。また,上下の層で反周期ずらした場合と,一致させた場合のダミーメタル配置における特性の違いを調べた,影響は無視できることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  超小形回路技術 ,  マイクロストリップ線路 ,  *充填材料 ,  密度 ,  長さ ,  伝送特性 ,  電磁場解析 ,  有限要素法 ,  *伝搬定数 ,  *半導体集積回路 ,  *CMOS集積回路
準シソーラス用語： オンチップ ,  *メタルフィル ,  面積密度

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  CMOS ,  オンチップ ,  マイクロストリップ線路 ,  面積 ,  密度 ,  サイズ ,  伝送特性