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J-GLOBAL ID：201202256634611829   整理番号：12A0613253

横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討

著者 (8件)： 進藤隆彦 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  二見充輝 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  信野圭祐 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  小口貴之 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  荒井滋久 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012  号： エレクトロニクス1  ページ： 268  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *周波数帯 ,  光通信 ,  光変調 ,  注入
準シソーラス用語： *直接変調 ,  電流注入

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  電流注入 ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  直接変調 ,  帯域