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J-GLOBAL ID：201202262666403500   整理番号：12A1383464

GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価

著者 (9件)： 山原佳晃 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  二見充輝 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  進藤隆彦 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LEE J. (東京工大 大学院理工学研究科) ,  土居恭平 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  荒井滋久 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012  号： エレクトロニクスソサイエティ1  ページ： 225  発行年： 2012年08月28日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  半導体接合 ,  横方向 ,  半導体薄膜 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *特性評価

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaInAsP ,  横方向 ,  薄膜 ,  フォトダイオード ,  特性評価