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J-GLOBAL ID：201202273439091251   整理番号：12A0719093

溶液プロセス可能な超高移動度nチャネルトランジスタ用の側鎖におけるエーテル基を有する新規なペリレン誘導体

Novel Perylene Derivative having an Ether Group in the Side Chains for Solution-Processible n-Channel Transistors with Very High Electron Mobility

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著者 (8件)： JEON Hyeon-Gu (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  YOKOTA Yoichiro (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  HATTORI Jinya (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  OGUMA Naomi (Dainichiseika Color and Chemicals Mfg. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  HIRATA Naoki (Dainichiseika Color and Chemicals Mfg. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Takeshi (Dainichiseika Color and Chemicals Mfg. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  ICHIKAWA Musubu (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  ICHIKAWA Musubu (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 4  ページ： 041602.1-041602.3  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可溶で高性能なn型有機半導体としての新規なペリレン誘導体[N,N′-ビス(3-ドデシルオキシ-プロピル)-ペリレンテトラカルボキシルジイミド,PTCDI-C3OC12]について報告する。PTCDI誘導体の溶解性は,PTCDI誘導体のエーテル基をアルキル側鎖に挿入することによるウェットプロセスを用いて,十分に高められた。スピンコートしたPTCDI-C3OC12膜に対し,ca.2Vという非常に低いしきい値電圧で,最大電子移動度0.52cm²/(V・s)を得た。PTCDI-C3OC12の高性能は適切な分子パッキングパターンと強固なグレイン間結合を持った大きなグレインサイズによって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 有機半導体 ,  N型半導体 ,  *芳香族縮合炭化水素 ,  電圧 ,  閾値 ,  キャリア移動度 ,  電子 ,  分子充填 ,  側鎖 ,  スピンコーティング ,  可溶性 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  溶解性 ,  電子移動度 ,  閾値電圧 ,  *ペリレン誘導体
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  PTCDI-C3OC12

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• GELINCK, G. Adv. Mater. 2010, 22, 3778
• STREET, R. A. Adv. Mater. 2009, 21, 2007
• WEN, Y. Adv. Mater. 2009, 21, 1631
• ANTHONY, J. E. Adv. Mater. 2010, 22, 3876
• KLAUK, H. ed. Organic Electronics : Materials, Manufacturing and Applications. 2006

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液 ,  プロセス ,  高移動度 ,  Nチャネルトランジスタ ,  側鎖 ,  エーテル基 ,  ペリレン誘導体