文献

J-GLOBAL ID：201202276293501079   整理番号：12A1704975

Si CMOS基板上ミリ波帯スパイラルインダクタとキャパシタの電磁界解析および実測評価

Electromagnetic Analysis and Measurement of a Spiral Inductor and Capacitor on a Silicon CMOS Substrate in the Millimeter-wave Band

著者 (5件)： 住田崇史 (東京工大) ,  平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 251(MW2012 81-113)  ページ： 47-52  発行年： 2012年10月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RF回路設計に必須な基本素子の1つであるミリ波帯オンチップスパイラルインダクタ,MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタの電磁界解析と実測の比較を行った。電磁界シミュレーターには有限要素法に基づくAnsoft HFSSを用いた。マイクロストリップ線路の励振モデルとしてLumped Port(電圧給電),Wave Port(導波管給電),およびそれらにThru-Line De-embbedingの手法を用いることで励振モデルによる影響を考察し実測との比較を行った。Thru-Line De-embeddingを用いた結果はLumped Port,Wave Port給電のどちらでもSパラが一致し,実測値と良好な一致が見られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜インダクタ ,  *薄膜コンデンサ ,  EHF波 ,  電子技術 ,  *電磁場解析 ,  シミュレータ ,  マイクロストリップ線路 ,  CMOS技術 ,  Sパラメータ ,  電磁場シミュレータ
準シソーラス用語： *MIMキャパシタ ,  *スパイラルインダクタ ,  電磁界シミュレータ

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  電磁気学一般  (BD01020N)

引用文献 (4件)：

• DOAN, C.H . D e s i g n considerations for 60O H z C M O S Radios. E E E Communications Magazine. 2004, 42, 12, 132-140
• ONO, Y. Eigenmode Analysis of ?P r o p a g a t i o n Constant for a M i c r o s t r i p Line w i t h Dummy F i l l s on a Si CMOS Substrate. I E I C E Trans. Electron. C. 2011, E94, 6, 1008-1015
• HIRANO, T. Accuracy Investigation of De-embedding Techniques Based on Electromagnetic Simulation for On-wafer RF Measurements. Numerical Simulation - F r om Theory to Industry. 2012
• M I H I R A, J. Characteristic of On-Chip Dipole Antennas Considering Conductive layer on the Surface ofV S i l i c o n Substrate. Proceedings of International Symposium on Antennas and Propagation (ISAPKorea, Oct 26-28. 2011

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  CMOS ,  ミリ波 ,  スパイラルインダクタ ,  キャパシタ ,  電磁界解析 ,  実測 ,  評価