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J-GLOBAL ID：201202276464511590   整理番号：12A0588798

極薄膜Al₂O₃界面層を挿入したHfO₂/InGaAs MOS構造のCET薄膜化

著者 (14件)： 鈴木麗菜 (東大) ,  LEE S. (東大) ,  KIM S.H. (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  田岡紀之 (東大) ,  JEVASUWAN W. (産業技術総合研) ,  前田辰郎 (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  市川磨 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.15P-GP1-15  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *境界層 ,  MOS構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化アルミニウム ,  超薄膜 ,  表面準位 ,  膜厚 ,  漏れ電流 ,  容量電圧特性 ,  *薄膜コンデンサ ,  界面層 ,  *層
準シソーラス用語： CET【膜厚】 ,  *MOSキャパシタ ,  ゲート漏れ電流 ,  界面準位

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 極薄膜 ,  Al2O3 ,  界面層 ,  HfO2 ,  InGaAs ,  MOS構造 ,  CET ,  薄膜化