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J-GLOBAL ID：201202278408554840   整理番号：12A1708183

導電性高分子の超薄膜トランジスタにおけるキャリアの電場誘起ESR

著者 (9件)： 東健二郎 (名大 院) ,  渡辺峻一郎 (名大 院) ,  田中久暁 (名大 院) ,  岩附紘子 (名大 院) ,  冨川晴貴 (名大 院) ,  永野修作 (名大 院) ,  関隆広 (名大 院) ,  下位幸弘 (産業技術総合研) ,  黒田新一 (名大 院)
資料名： 電子スピンサイエンス学会年会講演要旨集  (SEST)
巻： 51st  ページ： 16-17  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： L0838B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ESR【磁気共鳴】 ,  *導電性高分子 ,  *超薄膜 ,  キャリア移動度 ,  分子配向 ,  ポリフルオレン ,  ポリチオフェン ,  *FET【トランジスタ】 ,  G値
準シソーラス用語： F8T2 ,  g値 ,  *有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 導電性高分子 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア ,  電場 ,  誘起 ,  ESR