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J-GLOBAL ID：201202287678510976   整理番号：12A0495381

低-高-低電場プロフィールの逆InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード

Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile

著者 (6件)： NADA Masahiro (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MURAMOTO Yoshifumi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ISHIBASHI Tadao (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KODAMA Satoshi (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BG03.1-02BG03.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より小さい接合部の縮尺APDに適した新しいp-下 逆アバランシェフォトダイオード(APD)構造を提案した。逆APD構造は,InGaAsメサ表面と関連する望ましくない端破壊を防いで,過剰な表面漏洩電流を抑制するため端-場バッファ層を持つ。作ったバック照明InAlAs/InGaAs APDsは,端破壊なしで優れた増倍特性を示した。27GHzのf_3dBと220GHzのGB積を,これらのAPDsで得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化アルミニウム ,  *アバランシェフォトダイオード ,  電場 ,  接合部 ,  メサ構造 ,  破壊 ,  漏れ電流 ,  抑制

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電場 ,  プロフィール ,  InAlAs ,  InGaAs ,  アバランシェフォトダイオード