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J-GLOBAL ID：201202288587796920   整理番号：12A0588845

InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング

著者 (16件)： 田岡紀之 (東大) ,  田岡紀之 (名大 院) ,  横山正史 (東大) ,  KIM S.H. (東大) ,  鈴木麗菜 (東大) ,  飯田亮 (東大) ,  LEE S. (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  JEVASUWAN W. (産業技術総合研) ,  前田辰郎 (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  市川磨 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-A4-19  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOS構造 ,  伝導バンド ,  *表面準位 ,  *Fermi準位 ,  *ピン止め ,  化学蒸着 ,  *アルミナ ,  容量電圧特性 ,  Hall移動度
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  *界面準位

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  MOS構造 ,  伝導帯 ,  界面準位 ,  フェルミレベルピニング