特許

J-GLOBAL ID：201203030475487092

共鳴トンネルダイオード及びその製造方法

発明者： 真島 豊 ,  東 康男 ,  小川 大輔
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050895
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190859
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】ピークバレイ電流比が高く、特殊な装置を用いることなく作製することができる、共鳴トンネルダイオード及びその作製方法を提供する。【解決手段】第1の量子井戸層11と第2の量子井戸層12とを対に配置する。第1の量子井戸層11及び第2の量子井戸層12を何れもπ共役系分子により構成する。π共役系分子は、分子軌道のエネルギー準位がエネルギー高低方向に離散化して孤立に存在しておりかつエネルギーの高低方向に局所的に急峻な状態密度を有する。第1の量子井戸層11を第1のエネルギー障壁層13と第2のエネルギー障壁層14とにより挟んで形成し、第2の量子井戸層12を第2のエネルギー障壁層14と第3のエネルギー障壁層15とにより挟んで形成する。第1のエネルギー障壁層13の第1の量子井戸層11と逆側に第1の電極16を形成し、第3のエネルギー障壁層15の第2の量子井戸層12と逆側に第2の電極17を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の量子井戸層と第2の量子井戸層とが対に配置されてなり、 上記第1の量子井戸層及び上記第2の量子井戸層が何れもπ共役系分子により構成され、 上記π共役系分子は、分子軌道のエネルギー準位がエネルギー高低方向に離散化して孤立に存在しておりかつエネルギーの高低方向に局所的に急峻な状態密度を有する、共鳴トンネルダイオード。

IPC (2件)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/88

FI (1件)：

H01L29/88 S