プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：中尾俊輔 , 伊藤高英 , 畑中芳実 , 大倉奈緒子 , 玉利房枝 , 鈴木健之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-078120
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212803
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：

【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも1種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも1種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに放電することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去するプラズマ処理方法であって、前記プラズマは、前記プラズマ生成用ガスに含まれる物質から生成されたラジカルと、前記プラズマ生成用ガスそのものとを含み、前記プラズマ生成用ガスに含まれる物質から生成されたラジカルは、前記被膜に含まれる前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を被処理物から分離させることのできる水素ラジカルを少なくとも含み、前記被膜の除去は、除去するべき被膜中に含まれるすべての前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を分離させるために必要な量以上の前記水素ラジカルを前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子に接触させて行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , C23F 4/00 , B08B 7/00

FI (4件)：

H01L21/302 102 , H01L21/302 101E , C23F4/00 A , B08B7/00

Fターム (31件)：

3B116AA02 , 3B116AB01 , 3B116BB89 , 3B116BC01 , 3B116CD42 , 3B116CD43 , 4K057DA01 , 4K057DA02 , 4K057DB01 , 4K057DB02 , 4K057DB04 , 4K057DB05 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE14 , 4K057DG06 , 4K057DG12 , 4K057DG14 , 4K057DG15 , 4K057DN01 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004CB12 , 5F004DA00 , 5F004DA21 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB12 , 5F004DB13

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-193416 出願人：松下電工株式会社
プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-293045 出願人：松下電工株式会社
基板誘電層プレクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-267614 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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