半導体装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-225497
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089841
出願日： 2011年10月13日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】コンタクトホールの位置合わせが容易で、コンタクト抵抗の低いフィン型の電界効果型トランジスタを有する半導体装置に提供する。【解決手段】フィン型の電界効果型トランジスタであって、ソース/ドレイン領域503の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域502の幅よりも大きく、かつソース/ドレイン領域503の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部510を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜504が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基体上に設けられた突起状の半導体領域と、該半導体領域を挟んで形成された突起状のソース/ドレイン領域と、絶縁膜を介して該半導体領域の少なくとも側面上に設けられたゲート電極とを備えた半導体装置であって、該ソース/ドレイン領域は、少なくともその幅が最も大きい部分では前記半導体領域の幅よりも大きく、かつ該ソース/ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 29/78 , H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 27/08

FI (11件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 616L , H01L29/78 616V , H01L21/28 301S , H01L29/44 L , H01L29/50 M , H01L29/78 301X , H01L29/78 301S , H01L27/08 102D , H01L27/08 331E , H01L27/08 102B

Fターム (143件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD50 , 4M104DD55 , 4M104DD84 , 4M104FF06 , 4M104FF26 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BD04 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG34 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HK05 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK39 , 5F110HK40 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM15 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AA30 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BB03 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF44 , 5F140BG20 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BG52 , 5F140BG54 , 5F140BH02 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH09 , 5F140BH10 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK29 , 5F140BK34

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-079081
薄膜トランジスタおよび接合構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253056 出願人：株式会社東芝

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