特許
J-GLOBAL ID：201203045228923995
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-258883
公開番号（公開出願番号）：特開2012-109499
出願日： 2010年11月19日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：
【課題】界面酸化および歪印加による端面劣化を確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】対向する共振器面108,109を有するレーザ構造部107と、対向する共振器面の少なくとも一方に形成された保護膜110,120と、を有し、保護膜110,120は、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層111,121および多結晶層112,122の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
対向する共振器端面を有するレーザ構造部と、
上記対向する共振器端面の少なくとも一方に形成された保護膜と、を有し、
上記保護膜は、
共振器端面に接する側から結晶構造が非晶質層および多結晶層の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている
半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F173AA08
, 5F173AB50
, 5F173AL05
, 5F173AL14
, 5F173AR68
, 5F173AR96
