特許
J-GLOBAL ID：200903094572837653
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-294361
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103814
出願日： 2005年10月07日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】金属の密着層のようにpn接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の酸素を端面部分から分離する分離層を形成することにより、端面の酸化を防ぎ信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】III-V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、窒化アルミニウムからなる分離層115を積層し、分離層115に酸化アルミニウムからなる端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも窒化アルミニウムからなる分離層118を積層し、分離層118に酸化アルミニウム/TiO2の多層膜からなる端面コート膜117を積層した構成とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、
前記端面コート膜が前記共振器の端面に対向する側に酸化アルミニウム層を有し、前記端面コート膜と前記共振器の端面との間に、窒化アルミニウムからなる分離層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F173AA05
, 5F173AH22
, 5F173AL03
, 5F173AL04
, 5F173AL05
, 5F173AL07
, 5F173AP82
, 5F173AP92
, 5F173AR68
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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窒化ガリウム系発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-202726
出願人：日亜化学工業株式会社
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-095038
出願人：株式会社日立製作所
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特開平2-137287
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