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J-GLOBAL ID：201302211253220541   整理番号：13A0686683

シリコントランジスタのあゆみと将来

Progress and future prospects for silicon transistors.

著者 (1件)： 若林整 (東京工大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 82  号： 4  ページ： 292-298  発行年： 2013年04月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半世紀を超えるシリコントランジスタの開発の歴史と,それを牽引する先端CMOSデバイス技術,および応用を志向した多機能化技術について解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  CMOS構造 ,  スケール則 ,  精密化 ,  多様化 ,  イメージセンサ ,  表示装置 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *技術開発 ,  電子技術 ,  *半導体 ,  MOS構造
準シソーラス用語： 微細化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (101件)：

• ROSS, I. M. The Transistor : Dawn of a New Era. 1997
• KILBY, J. S. Proceedings of the IEEE. 2000, 88, 109
• WONG, H.-S. P. Proceedings of the IEEE. 1999, 87, 537
• MOORE, G. E. Electronics. 1965, 38, 114
• GELSINGER, P. P. IEEE Spectrum. 1989, 26, 10, 43

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  トランジスタ ,  将来