ハーフメタル性Co<sub>2</sub>(Fe,Mn)Siベース素子における巨大磁気抵抗効果特性に関する広範な研究

SAKURABA Y.; UEDA M.; MIURA Y.; SATO K.; BOSU S.; SAITO K.; SHIRAI M.; KONNO T. J.; TAKANASHI K.

文献

J-GLOBAL ID：201302211686851082 整理番号：13A0009146

ハーフメタル性Co₂(Fe,Mn)Siベース素子における巨大磁気抵抗効果特性に関する広範な研究

Extensive study of giant magnetoresistance properties in half-metallic Co₂(Fe,Mn)Si-based devices

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巻： 101 号： 25 ページ： 252408-252408-4 発行年： 2012年12月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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種々のFe/Mn比xとトップCFMS層厚t_CFMSとを有するフルにエピタキシャルなCo₂Fe_xMn_1-xSi(CFMS)/Ag/Co₂Fe_xMn_1-xSi(CFMS)面直通電型巨大磁気抵抗素子を調製した。最高磁気抵抗効果(MR)比,つまり室温で58%および30Kで184%を,x=0.4およびt_CFMS=3nmの試料で観測した。x=0の試料と比べて,x=0.4の試料に対して,界面スピン非対称性の増強を示唆した。非常に薄い三層構造,CFMS(4nm)/Ag(3nm)/CFMS(2nm)においても,MR比58%を観測した。この結果は,高密度ハードディスクドライブに対する次世代磁気読出しセンサに対して有望であることを指摘した。(翻訳著者抄録)

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