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J-GLOBAL ID：201302214255847540   整理番号：13A1589230

大気圧CVD法によって成長したr面サファイア基板上ZnO薄膜のフォトルミネッセンス特性の熱処理効果

著者 (7件)： 小倉佳典 (愛媛大 大学院) ,  寺迫智昭 (愛媛大 大学院) ,  藤本翔平 (愛媛大 大学院) ,  嶋田忠史 (愛媛大 工) ,  宮田晃 (愛媛大 工) ,  矢木正和 (香川高専) ,  白方祥 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2012  ページ： 36  発行年： 2012年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  熱処理 ,  サファイア基板

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大気圧 ,  CVD法 ,  成長 ,  サファイア基板 ,  ZnO薄膜 ,  フォトルミネッセンス ,  熱処理