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J-GLOBAL ID：201302218017332864   整理番号：13A1917505

カーボンオニオンを助剤とした高硬度SiCの低温通電焼結

著者 (3件)： 平田敦 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  坂井祐太 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  青野祐子 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 27th  ページ： 148-149  発行年： 2013年11月19日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  フラーレン ,  *助剤 ,  *焼結 ,  抵抗加熱 ,  カーボンオニオン ,  *焼結助剤

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： カーボンオニオン ,  助剤 ,  高硬度 ,  SiC ,  低温 ,  通電焼結