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J-GLOBAL ID：201302221347214605   整理番号：13A0851210

GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作

著者 (12件)： 土居恭平 (東京工大) ,  進藤隆彦 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  二見充輝 (東京工大) ,  LEE Jieun (東京工大) ,  山原佳晃 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  YANG Shu (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-B4-5  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  連続レーザ ,  室温 ,  分布帰還形レーザ ,  量子閉込め ,  歪層量子井戸 ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： *半導体薄膜レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaInAsP ,  InP ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  室温 ,  連続動作