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J-GLOBAL ID：201302222291492158   整理番号：13A0851249

GaInAs/InP半導体上メタマテリアルの電圧印加による共振周波数変化

著者 (8件)： 明賀聖慈 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  石川篤 (理研) ,  村井英淳 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  田中拓男 (理研) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.27P-PA2-19  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *人工材料 ,  機能材料 ,  光学材料 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  エネルギー供給 ,  共振周波数 ,  電気制御 ,  *光学素子 ,  *メタマテリアル
準シソーラス用語： 電圧印加

分類 (2件)： その他の光デバイス  (BD06060O) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaInAs ,  InP ,  メタマテリアル ,  電圧印加 ,  共振周波数