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J-GLOBAL ID：201302229412981547   整理番号：13A1406890

層状極性半導体BiTeIの走査トンネル分光

著者 (6件)： 幸坂祐生 (理研) ,  加納学 (東京工大 応用セラミックス研) ,  高木英典 (理研) ,  高木英典 (東大 大学院) ,  高木英典 (マックスプランク研) ,  笹川崇男 (理研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第4分冊  ページ： 785  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 層状化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *テルル化合物 ,  *ヨウ化物 ,  スペクトロスコピー ,  電子構造 ,  半導体 ,  *表面準位 ,  バンド構造 ,  二次元電子ガス ,  構造 ,  ドメイン構造 ,  *極性半導体 ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： 走査トンネル分光法 ,  *表面状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層状 ,  極性半導体 ,  走査トンネル分光