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J-GLOBAL ID：201302245955894933   整理番号：13A0235200

Ca₄Bi₆O₁₃結晶の電子構造及び光学特性の第一原理研究

First-principles study on electronic structure and optical properties of Ca₄Bi₆O₁₃ crystal

著者 (8件)： NAKAMURA Hiroyuki (Integrated Arts and Sci., Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kokuraminami-ku, Kitakyushu 802-0985, JPN) ,  OBUKURO Yuki (Advanced Course of Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol. (KCT) ...) ,  OBATA Kenji (Advanced Course of Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol. (KCT) ...) ,  OBATA Kenji (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol. (KIT), Kitakyushu Sci. and Res. Park ...) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Advanced Course of Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol. (KCT) ...) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol. (KIT), Kitakyushu Sci. and Res. Park ...) ,  ARAI Masao (Computational Materials Sci. Unit (CMSU), National Inst. of Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  KOBAYASHI Kenkichiro (Dep. of Materials Sci., Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 74  号： 1  ページ： 25-29  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ca₄Bi₆O₁₃結晶の電子構造をGGA法により計算した。Ca₄Bi₆O₁₃の価電子帯頂上及び伝導帯底はΓ点に位置していた。このことは,Ca₄Bi₆O₁₃は直接バンドギャップ材料であることを意味する。低エネルギー領域の伝導帯は主としてBi6p及びO2pの混合からできていた。高エネルギー領域の伝導帯はCa3d状態から成っていた。低エネルギー領域の価電子帯は主としてBi6s状態からできており,高エネルギー領域の価電子帯はBi6s及び6p状態と混成したO2p状態からできていた。Ca₄Bi₆O₁₃の光学特性を複素誘電関数,ε(ω)=ε₁(ω)+iε₂(ω)のスペクトル依存性から計算した。大きく偏極したピークがε₂(ω)関数中で3.6eV下に観測された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カルシウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *酸化物 ,  結晶構造 ,  *電子構造 ,  APW法 ,  バンド構造 ,  *密度汎関数法 ,  *光学定数 ,  複素誘電率 ,  可視光 ,  光触媒 ,  化合物半導体 ,  結晶 ,  誘電関数 ,  FPLAPW法
準シソーラス用語： FLAPW法 ,  光学伝導率

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶 ,  電子構造 ,  光学特性 ,  第一原理 ,  研究