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J-GLOBAL ID：201302252124672388   整理番号：13A1809457

シリコン基板の部分的高抵抗化によるCMOS基板上オンチップダイポールアンテナの放射効率改善の基礎検討

著者 (5件)： 矢尾裕樹 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  平野拓一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岡田健一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  広川二郎 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安藤真 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2013  号： ソサイエティ大会  ページ： ROMBUNNO.B-1-90  発行年： 2013年09月03日 
JST資料番号： G0508B  ISSN： 1349-144X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  CMOS構造 ,  *アンテナ ,  半導体チップ ,  *ダイポールアンテナ ,  *放射効率 ,  計算機シミュレーション ,  有限要素法 ,  電磁場解析 ,  シリコンウエハ ,  MOS構造 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *オンチップアンテナ ,  シリコン基板 ,  有限要素法シミュレーション

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  CMOS ,  放射効率 ,  基礎