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J-GLOBAL ID：201302260027996074   整理番号：13A0038223

EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価:曲げ変形の効果

Analysis of flexible OFET characteristics by using EFI-SHG: the effect of bending

著者 (4件)： 阿部洋平 (東京工大) ,  田口大 (東京工大) ,  間中孝彰 (東京工大) ,  岩本光正 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 296(OPE2012 127-133)  ページ： 13-18  発行年： 2012年11月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機半導体層をTIPS-pentacene,ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し,曲げ変形によるトランジスタ特性への効果を評価した。曲げ変形により引張り応力がトランジスタチャネル方向に働く場合は実効キャリア移動度が減少し,圧縮応力が働く場合は増大した。また,曲げ変形による実効キャリア移動度の変化を誘電体理論に基づいて考察し,ゲート絶縁膜の変形から予想されるよりも大きく変化していることを明らかにした。さらに顕微電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法によりフレキシブルトランジスタのチャネル部のキャリア挙動の観察を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  フレキシブル基板 ,  曲げ変形 ,  誘電緩和 ,  キャラクタリゼーション ,  電場効果 ,  第二高調波発生 ,  顕微鏡観察 ,  有機半導体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： Maxwell-Wagner効果 ,  *有機トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SHG ,  フレキシブル有機トランジスタ ,  特性評価 ,  曲げ変形