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J-GLOBAL ID：201302260117522950   整理番号：13A1406575

高Q値ナノ共振器を用いた極低閾値ラマンシリコンレーザー

著者 (5件)： 高橋和 (阪府大 ナノ科学・材料セ) ,  高橋和 (JST-さきがけ) ,  乾善貴 (京大 大学院) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第4分冊  ページ： 694  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Ramanレーザ ,  誘導Raman散乱 ,  結晶 ,  *フォトニックバンドギャップ ,  量子光学 ,  Q値 ,  閾値 ,  *ケイ素 ,  *半導体レーザ ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： Ramanシリコンレーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Q値 ,  ナノ共振器 ,  極 ,  閾値