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J-GLOBAL ID：201302260496675505   整理番号：13A1721556

電場誘起の光第2次高調波発生測定法によるSiO₂-SiN積層膜中の電荷分布評価

著者 (5件)： 竹内宏樹 (パナソニック) ,  中村邦彦 (パナソニック) ,  内藤康幸 (パナソニック) ,  間中孝彰 (東京工大) ,  岩本光正 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-C11-2  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  電場効果 ,  コロナ放電 ,  *帯電 ,  固体誘電体 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  多層膜 ,  *電荷分布 ,  表面電位 ,  *コロナ帯電
準シソーラス用語： 積層膜

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電場 ,  誘起 ,  2次高調波発生 ,  測定法 ,  SiO2 ,  SiN ,  積層膜 ,  電荷分布 ,  評価