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J-GLOBAL ID：201302266478709557   整理番号：13A1406372

不純物ポテンシャル近傍におけるトポロジカル表面状態のランダウ準位(モデル計算)

著者 (8件)： 川村稔 (理研) ,  FU Y. (理研) ,  五十嵐九四郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  高木英典 (理研) ,  高木英典 (東大 理) ,  高木英典 (Max-Planck-Inst.) ,  花栗哲郎 (理研) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第4分冊  ページ： 636  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *Landau準位 ,  セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  電子構造 ,  電子 ,  *状態密度 ,  スピン ,  磁化率 ,  磁気電気効果 ,  表面準位 ,  強磁場 ,  電子系 ,  *スペクトル線分裂 ,  *絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体 ,  Dirac電子 ,  セレン化ビスマス ,  二次元電子系 ,  電子状態密度 ,  表面電子構造
準シソーラス用語： スピン磁化率

分類 (3件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  ポテンシャル ,  近傍 ,  トポロジカル表面状態 ,  ランダウ準位 ,  モデル計算