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J-GLOBAL ID：201302276401398147   整理番号：13A0827967

拡散バリア層を有するシリコン量子ドット超格子太陽電池の電気特性の改善

Improvement of Electrical Properties of Silicon Quantum Dot Superlattice Solar Cells with Diffusion Barrier Layers

著者 (4件)： YAMADA Shigeru (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROKAWA Yasuyoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CR02.1-04CR02.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,シリコン量子ドット超格子太陽電池(Si-QDSL)の性能に及ぼす,ニオブ添加酸化チタン(TiO₂:Nb)拡散障壁層の効果を調べた。厚さが2nmのTiO₂:Nb層の挿入により,900°Cでの熱処理時の,高度ドープn型層からSi-QDSL層へのリン(P)拡散を,有意に抑制することができた。TiO₂:Nb拡散バリア層を有する太陽電池のSi-QDSL中のP濃度は10¹⁸cm^-3より小さく,拡散障壁層が存在しない場合に比べ約2桁低かった。P濃度の低減は,Si-QDSL層中の光誘起キャリア収集の改善をもたらす。拡散障壁層を有する太陽電池の短絡電流密度を,無負荷電圧および充填率の劣化を招くことなく,1.6mA/cm²に劇的に改善した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *量子ドット ,  *ケイ素 ,  超格子 ,  拡散障壁 ,  被覆層 ,  酸化チタン ,  ニオブ ,  電流電圧特性 ,  量子効率 ,  電流密度 ,  エネルギー変換効率 ,  深さプロフィル ,  リン ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *超薄膜 ,  焼なまし ,  固体内拡散 ,  短絡電流密度 ,  半導体超格子
準シソーラス用語： 障壁層 ,  内部量子効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (27件)：

• 1) W. Shockley and H. J. Queisser: J. Appl. Phys. 32 (1961) 510.
• 2) I. A. Yunaz, A. Yamada, and M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L1152.
• 3) G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho, E. C. Cho, C. W. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y. D. Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, and K. L. Lin: Thin Solid Films 511-512 (2006) 654.
• 4) M. A. Green, E. C. Cho, Y. Cho, Y. Huang, E. Pink, T. Trupke, A. Lin, T. Fangsuwannarak, T. Puzzer, G. Conibeer, and R. Corkish: Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2005, p. 6.
• 5) M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Biäsing: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 661.

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡散 ,  バリア層 ,  シリコン ,  量子ドット超格子 ,  太陽電池 ,  電気特性