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J-GLOBAL ID：201302279123203509   整理番号：13A1041366

Pt/Ta₂O_5-x/Pt,Pt構造における酸素空格子点ドリフトに基づいた不揮発性三端子動作

Nonvolatile three-terminal operation based on oxygen vacancy drift in a Pt/Ta₂O_5-x/Pt, Pt structure

著者 (8件)： WANG Qi (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  ITOH Yaomi (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  TSURUOKA Tohru (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  YAMAGUCHI Shu (Dep. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  WATANABE Satoshi (Dep. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  AONO Masakazu (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 23  ページ： 233508-233508-5  発行年： 2013年06月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *酸化タンタル ,  *白金 ,  *三端子回路 ,  *チャネル ,  導電性 ,  *空格子点 ,  *ドリフト ,  比率 ,  *酸素空格子点
準シソーラス用語： オンオフ比

分類 (4件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pt ,  酸素空格子点 ,  ドリフト ,  不揮発性