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J-GLOBAL ID：201302289190265301   整理番号：13A0137809

GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化

Low Threshold Operation of GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Membrane Laser

著者 (7件)： 進藤隆彦 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  二見充輝 (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 356(LQE2012 121-134)  ページ： 9-14  発行年： 2012年12月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの微細化・高速化に伴い,素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されている。その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。オンチップ光配線用の光源として半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに,我々は横方向電流注入構造を導入することにより半導体薄膜レーザの電流注入動作を実現してきた。今回,横方向電流注入型半導体薄膜レーザの動作特性の理論解析を行い,コア層厚150nmを有する半導体薄膜レーザにおいて,オンチップ光配線への応用に向け十分な光出力強度と10Gb/s以上の高速変調特性を1mA以下の動作電流で実現可能である事を示した。さらに,半導体薄膜レーザの極低しきい値動作の実現に向け,Be-ドープコンタクト層を導入したコア層厚450nmを有する半導体薄膜レーザを試作し,しきい値電流値3.8mAの低しきい値動作化に成功したのでご報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  半導体薄膜 ,  注入 ,  閉込め ,  回折格子 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  閾値 ,  分布帰還形レーザ ,  光閉込め
準シソーラス用語： DFBレーザ ,  GaInAsP ,  InP ,  電流注入

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaInAsP ,  InP ,  横方向 ,  電流注入 ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  しきい値