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J-GLOBAL ID：201302292224799093   整理番号：13A0636934

インフライトプラズマCVDによるシリコン量子ドット合成及び薄膜形成への応用

著者 (6件)： 山田陸 (東京工大) ,  GRESBACK Ryan (東京工大) ,  DING Yi (東京工大) ,  前薗圭佑 (東京工大) ,  岡崎健 (東京工大) ,  野崎智洋 (東京工大)
資料名： 日本機械学会熱工学コンファレンス講演論文集  (Proceedings of Thermal Engineering Conference)
巻： 2012  ページ： 203-204  発行年： 2012年11月16日 
JST資料番号： L0417A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： インフライトプラズマCVDを用いた新しいナノ粒子合成法を開発し,結晶サイズが10nm以下で,かつ粒径のそろったシリコン量子ドットを連続気相合成することに成功した。原料ガスのH₂/SiCl₄比が一定なら,収率は電力と原料ガス総流量の比で決まる比投入エネルギー(SEI,J/cm³)によって統一的にまとめることができる。量子ドットの収率は,原料であるSiCl₄の分解率および反応器内壁に形成される薄膜(Siのロス)のバランスによって決まることを明らかにした。もっとも収率が大きくなるのは,SEI=10J/cm³の時である。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *薄膜成長 ,  推進システム ,  ソーラーセイル

分類 (2件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  宇宙飛行体  (QK08000Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマCVD ,  シリコン ,  量子ドット ,  薄膜形成 ,  応用