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J-GLOBAL ID：201302294704774999   整理番号：13A0711276

Si CMOS基板上の導電層を考慮したオンチップループアンテナの特性評価及びSi基板導電率の影響評価

著者 (5件)： 矢尾裕樹 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  平野拓一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岡田健一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  広川二郎 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安藤真 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2013  号： 通信1  ページ： 68  発行年： 2013年03月05日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si CMOS基板上のオンチップループアンテナの電磁界解析を行い,導電層を設けた場合に実験値に近づくことを示した。60GHzにおいてSi CMOS基板の導電率を低くすることにより放射効率・利得が改善されることを示した。今後はモデリングの信頼性を検証し,効率の良いアンテナの設計を行う予定である。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  *アンテナ ,  *ループアンテナ ,  電磁場解析 ,  放射効率 ,  利得 ,  反射率 ,  電気伝導率 ,  依存性 ,  *ミリ波通信 ,  CMOS ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  アンテナ利得 ,  *オンチップアンテナ

分類 (2件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  CMOS ,  導電層 ,  特性評価 ,  Si基板 ,  導電率 ,  影響評価