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J-GLOBAL ID：201302299925796034   整理番号：13A1419011

β-Ga₂O₃におけるSiイオン注入と低抵抗オーミック接触作製へのその応用

Si-Ion Implantation Doping in β-Ga₂O₃ and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts

著者 (6件)： SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 8  ページ： 086502.1-086502.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siイオン(Si⁺)注入を用いることによりβ-Ga₂O₃のためのドナードーピング技法を開発した。Si⁺=1×10¹⁹~5×10¹⁹cm^-3を注入したGa₂O₃基板に対して,900~1000°Cの相対的に低い温度で窒素ガス雰囲気においてアニーリングした後に60%以上の高活性化エネルギーが得られた。注入したGa₂O₃層上に作製したアニールTi/Au電極はオーミック挙動を示した。Si⁺=5×10¹⁹cm^-3を含むGa₂O₃は,それぞれ,4.6×10^-6Ω・cm²および1.4mΩ・cmの本研究で得られた最低の比接触抵抗および抵抗率を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *Ohm接触 ,  *酸化ガリウム ,  ケイ素 ,  窒素 ,  *熱処理 ,  活性化エネルギー ,  チタン ,  金 ,  *電極 ,  *電気抵抗率

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： β-Ga2O3 ,  Siイオン ,  注入 ,  低抵抗 ,  オーミック接触 ,  作製 ,  応用