強誘電体メモリ、多値データ記録方法、および多値データ読出し方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252504
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108648
特許番号：特許第4785180号
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型のチャネル領域を含む半導体基体と、前記半導体基体上に、前記半導体基体中のチャネル領域に対応して、強誘電体膜を介して形成された単一のゲート電極と、前記半導体基体中、前記チャネル領域の両側にそれぞれ形成された、第2導電型の第1および第2の拡散領域とを含み、前記強誘電体膜中には、前記第1の拡散領域の近傍に位置する第1の領域と、前記第2の拡散領域の近傍に位置する第2の領域と、前記第1および第2の領域の中間に位置する第3の領域が含まれ、前記第1、第2および第3の領域には、独立に分極が誘起されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (3件)：