特許
J-GLOBAL ID:201303024582384066
有機半導体薄膜、有機半導体素子および有機電界効果トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人SSINPAT
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-060908
公開番号(公開出願番号):特開2013-197193
出願日: 2012年03月16日
公開日(公表日): 2013年09月30日
要約:
【課題】合成が容易であり、化学的および物理的に安定であり、かつ、高いキャリア移動度を示す有機半導体材料を含む有機半導体膜ならびに該有機半導体膜を含む有機半導体素子および有機電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】下記式(1)で表される化合物を含む有機半導体薄膜。[式(1)中、Xは、酸素、硫黄またはセレンである。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記式(1)で表される化合物を含有する有機半導体薄膜。
IPC (4件):
H01L 51/05
, H01L 21/363
, H01L 51/30
, H01L 29/786
FI (6件):
H01L29/28 100A
, H01L21/363
, H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 616V
Fターム (37件):
5F103AA01
, 5F103DD25
, 5F103LL07
, 5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF23
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK14
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK50
引用文献:
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