有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：家入健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256713
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073619
特許番号：特許第5044776号
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース-ドレイン間とに、電圧を印加し、前記電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、前記ソースと前記ドレインの間に位置する有機物層の内にあって、チャネル層が形成される可能性を有するチャネル形成領域に光を入射し、前記光を入射されたチャネル形成領域から出射される第2次高調波光を検出し、前記ドレイン-ソース間に電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度と、前記ドレイン-ソース間に電圧を印加し、前記ゲートにも電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度とに基づいて、前記チャネル形成領域におけるコンダクタンス及び/又は電界分布を測定する、有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 51/05 ( 200 6.01) , G01R 31/26 ( 200 6.01) , G01R 31/302 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 624 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 100 A , G01R 31/26 B , G01R 31/28 L

引用文献：

審査官引用 (2件)

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