特許

J-GLOBAL ID：201303040098322043

sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。

発明者： 小松 正二郎 ,  知京 豊裕 ,  佐藤 裕平 ,  平野 大輔 ,  長田 貴弘
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-186594
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256766
特許番号：特許第5218969号
出願日： 2008年07月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜であって、Sp3-結合性6H-BNとsp3-結合性10H-BNを含有することを特徴とするsp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜。

IPC (7件)：

C23C 16/56 ( 200 6.01) ,  C23C 16/38 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/268 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C23C 16/56 ,  C23C 16/38 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 四配位結合BN材料の光励起製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-191318   出願人：有限会社ヘリオス光科学研究所
• 一般式;BNで示され、六方晶系5H型ないしは6H型多形構造を有し、紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-192863   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構