特許
J-GLOBAL ID：201303073222055283
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320274
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134987
特許番号：特許第4890755号
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 2×106 cm-2以下の第1の平均欠陥密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均欠陥密度より高い第2の平均欠陥密度を有するストライプ状の第2の領域を有するGaN基板であって、下地基板上の上記第2の領域を形成する場所に非晶質または多結晶の層からなる種を形成し、この種が形成された上記下地基板上に単結晶GaN層をファセット面からなる斜面を維持して成長させることにより転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記単結晶GaN層の表面を平坦化することにより製造されたものの上に、レーザ構造を形成し、GaInNからなる活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体層が成長され、
レーザストライプの最近接の上記第2の領域側の端と最近接の上記第2の領域の上記レーザストライプ側の端との間の距離が10μm以上50μm以下であり、上記レーザストライプ中の上記活性層の暗点密度が1×106 cm-2以下であり、発振波長が440nm以上の半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01S 5/22 ( 200 6.01)
H01S 5/323 610
, H01S 5/22
