特許
J-GLOBAL ID：200903017781855028
窒化物半導体レーザ素子、その製造方法および半導体光学装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330181
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133650
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板とその上に積層された窒化物半導体層より成る。基板はストライプ状の転位集中領域と転位集中領域を除いた領域である低転位領域を有し、窒化物半導体層はストライプ状のレーザ光導波領域を有する。レーザ光導波領域は低転位領域上に設けられており、転位集中領域と略平行である。レーザ光導波領域と最近接の転位集中領域との水平方向の距離は40μm以上である。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、その上に積層された窒化物半導体層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体基板がストライプ状の転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位領域とを有し、窒化物半導体層がストライプ状のレーザ光導波領域を有し、レーザ光導波領域が低転位領域上に位置して転位集中領域と略平行であり、レーザ光導波領域とこれに最近接の転位集中領域との水平方向の距離dが40μm以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610
, H01S 5/223
, H01S 5/24
H01S 5/343 610
, H01S 5/223
, H01S 5/24
5F073AA13
, 5F073AA20
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB18
, 5F073EA24
, 5F073EA28
