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J-GLOBAL ID：201402204854358266   整理番号：14A1266572

光発生層内にシリコンナノ結晶を含むシリコン量子ドット超格子太陽電池構造

Silicon quantum dot superlattice solar cell structure including silicon nanocrystals in a photogeneration layer

著者 (4件)： YAMADA Shigeru (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROKAWA Yasuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 9  号： 1  ページ： 9:246 (WEB ONLY)  発行年： 2014年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型ポリシリコン/5nm直径シリコンナノ結晶/p型水素化非晶質シリコン/Al電極の太陽電池構造を水晶基板上に作製した。このナノ結晶は非晶質シリコンオキシカーバイドマトリックス(30層)内に埋め込まれている。この太陽電池で得た開回路電圧および曲線因子はそれぞれ518mVおよび0.51である。この太陽電池の吸収端は1.49eVであり,これはシリコンナノ結晶材料の光学的バンドギャップに対応している。このことはシリコンナノ結晶材料を用いて太陽電池を作製できることを示唆しており,そのバンドギャップは結晶性シリコンの場合より広い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  超格子 ,  N型半導体 ,  ポリシリコン ,  P型半導体 ,  水素化 ,  アモルファスシリコン ,  アルミニウム ,  電極 ,  石英ガラス ,  基板 ,  *量子サイズ効果 ,  パラメータ ,  電圧 ,  吸収端 ,  フォトニックバンドギャップ ,  量子ドット太陽電池
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開路電圧 ,  光バンドギャップ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノ結晶 ,  シリコン ,  量子ドット超格子 ,  太陽電池