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J-GLOBAL ID：201402206794942128   整理番号：14A1015682

極性半導体BiTeIにおける両極性2次元キャリアの自発形成

著者 (6件)： 幸坂祐生 (理研) ,  加納学 (東京工大 応用セラミックス研) ,  高木英典 (東大 大学院) ,  高木英典 (マックスプランク研) ,  花栗哲郎 (理研) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 2 第4分冊  ページ： 466  発行年： 2014年08月22日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヨウ化物 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  低次元系 ,  二次元 ,  *二次元電子ガス ,  分域構造 ,  スペクトロスコピー ,  キャリア密度 ,  自発分極 ,  *二次元正孔ガス ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： 走査トンネル分光法

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 極性半導体 ,  両極性 ,  2次元 ,  キャリア