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J-GLOBAL ID：201402208028978105   整理番号：14A1116814

PLD法を用いて作製した準安定相In_xFe_2-xO₃薄膜の結晶構造制御

著者 (5件)： 浜嵜容丞 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  谷山智康 (東京工大) ,  伊藤満 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 27th  ページ： ROMBUNNO.1PJ04  発行年： 2014年08月25日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  強誘電性 ,  強磁性 ,  *鉄酸塩 ,  インジウム化合物 ,  *PLD【IC】 ,  *結晶構造 ,  準安定相 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  磁気的性質 ,  エピタクシー ,  結晶方位 ,  イオン半径 ,  六方晶系 ,  X線回折分析 ,  マルチフェロイック材料 ,  構造制御
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： PLD法 ,  作製 ,  準安定相 ,  薄膜 ,  結晶構造