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J-GLOBAL ID：201402208179709688   整理番号：14A0229327

MBE法によるサファイア基板上へのScN薄膜のヘテロ成長

著者 (6件)： 大垣武 (物質・材料研究機構) ,  渡邉賢 (物質・材料研究機構) ,  坂口勲 (物質・材料研究機構) ,  菱田俊一 (物質・材料研究機構) ,  大橋直樹 (物質・材料研究機構) ,  羽田肇 (物質・材料研究機構)
資料名： エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集  (エレクトロセラミックス研究討論会プログラム講演予稿集)
巻： 33rd  ページ： 168-169  発行年： 2013年10月24日 
JST資料番号： L8356A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *窒化物 ,  スカンジウム化合物 ,  *MBE成長 ,  ヘテロ接合 ,  基板 ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  結晶方位 ,  結晶度 ,  基板温度 ,  膜厚 ,  電気的性質 ,  Hall効果 ,  双晶 ,  キャリア移動度 ,  格子整合 ,  サファイア基板

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  サファイア基板 ,  ScN ,  薄膜 ,  成長