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J-GLOBAL ID：201402209377909680   整理番号：14A0371375

電界誘起光第二次高調波発生及びpre-bias手法を用いたペンタセンFETのキャリア挙動評価

著者 (3件)： 竹尾淳司 (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-E3-15  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電場効果 ,  *第二高調波発生 ,  光高調波 ,  *FET【トランジスタ】 ,  結晶粒度 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  酸化膜 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  キャリア捕獲 ,  捕獲中心 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜 ,  熱酸化膜 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： ゲート絶縁体 ,  *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  非線形光学  (BD05000T)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (9件)： 電界 ,  誘起 ,  二次高調波発生 ,  手法 ,  ペンタセン ,  FET ,  キャリア ,  挙動 ,  評価